Produkto identifikavimas
|
Prekė |
Specifikacija |
|
Produkto pavadinimas |
G4 druskos rūgštis |
|
Produkto kategorija |
Puslaidininkinė elektroninė šlapioji chemija |
|
Cheminis pavadinimas |
Druskos rūgštis |
|
Cheminė formulė |
HCl |
|
CAS Nr. |
7647-01-0 |
|
Molekulinė masė |
36.46 |
|
JT numeris |
1789 |
|
Įvertinimas |
SEMI G4 Ultra{1}}Aukšto grynumo elektroninė klasė |
Produkto apžvalga
G4 hidrochlorido rūgštis yra didelio-grynumo neorganinė rūgštis, specialiai išgryninta puslaidininkinių plokštelių gamybai ir pažangiajai mikroelektronikos gamybai. Pagamintas ultra-valymo, mažo-užteršimo filtravimo ir švaraus-patalpos užpildymo procese, šiame gaminyje yra itin-mažų metalų jonų, anijoninių priemaišų ir mikro-dalelių, visiškai atitinkančių SEMI G4 pramonės specifikacijas.
Tai pagrindinė šlapioji cheminė medžiaga puslaidininkių priekiniams{0}}galiniams procesams, veiksmingai pašalinanti metalinius teršalus, jonines likučius ir oksidų nešvarumus nuo plokštelių paviršių. Griežta priemaišų kontrolė pašalina mikro-užteršimo riziką, todėl užtikrinamas didelis derlius ir stabilus pažangių lustų gamybos procesų veikimas.
Išvaizda:Bespalvis, skaidrus ir skaidrus skystis, turintis silpną aštrų kvapą
Techninės specifikacijos (SEMI G4 standartas)
|
Bandomasis elementas |
Specifikacija |
|
HCl tyrimas |
36,0–38,0 masės % |
|
Išvaizda |
Bespalvis ir skaidrus skaidrus skystis |
|
Spalva (APHA) |
Mažiau arba lygus 10 |
|
Tankis @ 20 laipsnių |
1,18 ~ 1,19 g/cm³ |
|
Garavimo likutis |
Mažiau nei arba lygus 50 ppb |
|
Atskiri metalų pėdsakai (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr) |
Mažiau arba lygus 10 ppb kiekvienas |
|
Sulfatas (SO₄²⁻) |
Mažiau nei arba lygus 50 ppb |
|
Nitratas (NO₃⁻) |
Mažiau nei arba lygus 50 ppb |
|
Laisvas chloras (Cl₂) |
Mažiau nei arba lygus 50 ppb |
|
Fosfatas (PO₄³⁻) |
Mažiau nei arba lygus 30 ppb |
|
Dalelės Didesnės arba lygios 0,2 μm |
Mažiau arba lygus 100 vnt/ml |
Pastaba:Visi bandymo duomenys yra pagrįsti konkrečiu partijos{0}}COA (analizės sertifikatu).
Taikymas (puslaidininkinis šlapias procesas)
Vaflių paviršiaus valymas:Pašalinkite metalo jonų likučius, neorganinius teršalus ir paviršiaus oksido sluoksnius ant silicio plokštelių, pagerinkite plokštelių paviršiaus švarumą tolesniems ėsdinimo ir nusodinimo procesams.
Puslaidininkinis šlapias ėsdinimas:Naudojamas preciziškam silicio-pagrindo medžiagų ir sudėtinių puslaidininkinių substratų mikro{0}ėsdymui su stabiliu ėsdinimo greičiu ir vienodu apdorojimo efektu.
Proceso tirpalo paruošimas:Sukurkite mišrius valymo ir ėsdinimo sprendimus, skirtus RCA valymo procesui, atitinkančius pažangius puslaidininkių priekinės{0}galinės gamybos reikalavimus.
Išplėstinis pakavimas ir MEMS procesas:MEMS įrenginių paviršiaus apdorojimas ir nešvarumų šalinimas, lustų pakavimas ir mikroelektroninių komponentų apdorojimas.
Pakavimo ir užpildymo standartas
Pakuotės tipas:Švarus -klasės HDPE sandarus būgnas / IBC švarus dėklas
Bendra specifikacija:25 kg / 30 kg mažas būgnas, 1000 kg IBC krepšys
Užpildymo aplinka:1000 klasės švari patalpa, nulis antrinio užteršimo, griežtai kontroliuojamas dalelių ir priemaišų įvedimas
Sandarinimo standartas:Profesionali rūgštims-atspari sandari pakuotė, apsauganti nuo-lakumo ir anti-nuotėkio
Laikymas ir galiojimo laikas
● Laikyti vėsioje, sausoje, vėdinamoje ir tam skirtoje cheminių medžiagų sandėlyje, sandariai uždarytą, atokiai nuo tiesioginių saulės spindulių, aukštos temperatūros ir šilumos šaltinių.
● Izoliuokite nuo šarminių medžiagų, oksidantų ir organinių cheminių medžiagų, kad išvengtumėte cheminių reakcijų ir užteršimo.
● Griežtai venkite ilgalaikio-atviros talpyklos, kad išvengtumėte nepastovių gedimų ir priemaišų absorbcijos.
● Tinkamumo laikas: 12 mėnesių standartinėmis sandariomis laikymo sąlygomis
Tvarkymas ir saugos atsargumo priemonės
● Vandenilio chlorido rūgštis yra ėsdinanti ir laki. Operatoriai turi dėvėti visas AAP: rūgštims{1}}atsparias pirštines, cheminius akinius, korozijai{2}}atsparų prijuostę ir apsauginius drabužius.
● Dirbti vėdinamoje aplinkoje; vengti įkvėpti lakiųjų dujų ir tiesioginio sąlyčio su oda bei akimis.
● Skiedimo operacija: lėtai pilkite rūgštį į vandenį, niekada nepilkite vandens į koncentruotą druskos rūgštį, kad išvengtumėte purslų ir nesusižeidimų.
● Susilietus arba nutekėjus, laikykitės SDS avarinių nurodymų dėl savalaikio valymo ir pašalinimo.
● Išsamią pavojingumo klasifikaciją, transportavimo taisykles ir pirmosios pagalbos{0}} priemones rasite oficialiame SDS dokumente.
Kokybės užtikrinimas
Kiekviena G4 hidrochlorido rūgšties partija gaminama ir tikrinama pagal SEMI G4 tarptautinius standartus. Kiekvieną siuntą lydi oficialus partijos COA. Visuose gamybos, valymo ir užpildymo procesuose taikoma griežta švaraus-patalpos užterštumo kontrolė, siekiant užtikrinti stabilią ir pastovią produktų kokybę, skirtą aukščiausios klasės puslaidininkių gamybos programoms.
Vandenilio chlorido rūgšties specifikacija
|
Produkto pavadinimas |
Įvertinimas |
Santykinė molekulinė masė |
Molekulinė formulė |
|
Druskos rūgštis |
Elektroninės cheminės medžiagos G4 |
36.46 |
HCl |
|
Apžiūrėkite daiktus |
Specifikacijos |
Apžiūrėkite daiktus |
Specifikacijos |
|
Išvaizda |
Bespalvis skaidrus vandeninis vandenilio chlorido tirpalas |
Nikelis (Ni), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Tyrimas (HCl), % |
36.0~38.0 |
Varis (Cu), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Chromatiškumas, Hazen vienetai |
Mažiau arba lygus 10 |
Cinkas (Zn), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Degimo likutis (sulfato pagrindu), ppm |
Mažiau nei arba lygus 3 |
Galis (Ga), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
laisvai prieinamas chloras (Cl), ppb |
Mažiau arba lygus 100 |
Germanis (Ge), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Amonis (NH4), ppb |
Mažiau arba lygus 100 |
Arsenas (As), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Sulfatas (SO4), ppb |
Mažiau arba lygus 100 |
Stancis (Sr), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Sulfitai (SO₂), ppb |
Mažiau arba lygus 100 |
Cirkonis (Zr), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Fosfatas (PO4), ppb |
Mažiau arba lygus 100 |
Niobis (Nb), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Litis (Li), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Molibdenas (Mo), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Berilis (Be), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Sidabras (Ag), p |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Boras (B), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Kadmis (Cd), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Natrio (Na), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Alavas (Sn), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Magnis (Mg), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Baris (Ba), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Aliuminis (Al), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Tantalas (Ta), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Kalis (K), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Auksas (Au), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Kalcis (Ca), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Talis (Tl), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Titanas (Ti), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Švinas (Pb), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Vanadis (V), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Bismutas (Bi), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Chromas (Cr), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Dalelės (didesnės arba lygios 0,2 μm), vnt./mL |
Mažesnis arba lygus 300 |
|
Manganas (Mn), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Dalelės (didesnės arba lygios 0,3 μm), vnt./mL |
Mažiau arba lygus 100 |
|
Geležis (Fe), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Dalelės (didesnės arba lygios 0,5 μm), vnt./mL |
Mažiau arba lygus 5 |
|
Kobaltas (Co), ppt |
Mažiau arba lygus 100 |
Ataskaitos pabaiga |
- |
Populiarus Žymos: elektroniniai chemikalai g4 druskos rūgštis, Kinijos elektroniniai chemikalai g4 druskos rūgšties gamintojai, tiekėjai, gamykla

