Electronic Chemicals G4 druskos rūgštis

Electronic Chemicals G4 druskos rūgštis

Dokumento peržiūra: 01
Išleidimo data: 2026-09-02
Taikomas standartas: SEMI G4 klasė (puslaidininkinis ultra{1}}aukšto grynumo šlapias chemikalas)

Produkto identifikavimas

 

Prekė

Specifikacija

Produkto pavadinimas

G4 druskos rūgštis

Produkto kategorija

Puslaidininkinė elektroninė šlapioji chemija

Cheminis pavadinimas

Druskos rūgštis

Cheminė formulė

HCl

CAS Nr.

7647-01-0

Molekulinė masė

36.46

JT numeris

1789

Įvertinimas

SEMI G4 Ultra{1}}Aukšto grynumo elektroninė klasė

 

Produkto apžvalga

 

G4 hidrochlorido rūgštis yra didelio-grynumo neorganinė rūgštis, specialiai išgryninta puslaidininkinių plokštelių gamybai ir pažangiajai mikroelektronikos gamybai. Pagamintas ultra-valymo, mažo-užteršimo filtravimo ir švaraus-patalpos užpildymo procese, šiame gaminyje yra itin-mažų metalų jonų, anijoninių priemaišų ir mikro-dalelių, visiškai atitinkančių SEMI G4 pramonės specifikacijas.


Tai pagrindinė šlapioji cheminė medžiaga puslaidininkių priekiniams{0}}galiniams procesams, veiksmingai pašalinanti metalinius teršalus, jonines likučius ir oksidų nešvarumus nuo plokštelių paviršių. Griežta priemaišų kontrolė pašalina mikro-užteršimo riziką, todėl užtikrinamas didelis derlius ir stabilus pažangių lustų gamybos procesų veikimas.


Išvaizda:Bespalvis, skaidrus ir skaidrus skystis, turintis silpną aštrų kvapą

 

Techninės specifikacijos (SEMI G4 standartas)

 

Bandomasis elementas

Specifikacija

HCl tyrimas

36,0–38,0 masės %

Išvaizda

Bespalvis ir skaidrus skaidrus skystis

Spalva (APHA)

Mažiau arba lygus 10

Tankis @ 20 laipsnių

1,18 ~ 1,19 g/cm³

Garavimo likutis

Mažiau nei arba lygus 50 ppb

Atskiri metalų pėdsakai (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr)

Mažiau arba lygus 10 ppb kiekvienas

Sulfatas (SO₄²⁻)

Mažiau nei arba lygus 50 ppb

Nitratas (NO₃⁻)

Mažiau nei arba lygus 50 ppb

Laisvas chloras (Cl₂)

Mažiau nei arba lygus 50 ppb

Fosfatas (PO₄³⁻)

Mažiau nei arba lygus 30 ppb

Dalelės Didesnės arba lygios 0,2 μm

Mažiau arba lygus 100 vnt/ml

 

Pastaba:Visi bandymo duomenys yra pagrįsti konkrečiu partijos{0}}COA (analizės sertifikatu).

 

Taikymas (puslaidininkinis šlapias procesas)

 

Vaflių paviršiaus valymas:Pašalinkite metalo jonų likučius, neorganinius teršalus ir paviršiaus oksido sluoksnius ant silicio plokštelių, pagerinkite plokštelių paviršiaus švarumą tolesniems ėsdinimo ir nusodinimo procesams.

Puslaidininkinis šlapias ėsdinimas:Naudojamas preciziškam silicio-pagrindo medžiagų ir sudėtinių puslaidininkinių substratų mikro{0}ėsdymui su stabiliu ėsdinimo greičiu ir vienodu apdorojimo efektu.

Proceso tirpalo paruošimas:Sukurkite mišrius valymo ir ėsdinimo sprendimus, skirtus RCA valymo procesui, atitinkančius pažangius puslaidininkių priekinės{0}galinės gamybos reikalavimus.

Išplėstinis pakavimas ir MEMS procesas:MEMS įrenginių paviršiaus apdorojimas ir nešvarumų šalinimas, lustų pakavimas ir mikroelektroninių komponentų apdorojimas.

 

Pakavimo ir užpildymo standartas

 

Pakuotės tipas:Švarus -klasės HDPE sandarus būgnas / IBC švarus dėklas

Bendra specifikacija:25 kg / 30 kg mažas būgnas, 1000 kg IBC krepšys

Užpildymo aplinka:1000 klasės švari patalpa, nulis antrinio užteršimo, griežtai kontroliuojamas dalelių ir priemaišų įvedimas

Sandarinimo standartas:Profesionali rūgštims-atspari sandari pakuotė, apsauganti nuo-lakumo ir anti-nuotėkio

 

Laikymas ir galiojimo laikas

 

● Laikyti vėsioje, sausoje, vėdinamoje ir tam skirtoje cheminių medžiagų sandėlyje, sandariai uždarytą, atokiai nuo tiesioginių saulės spindulių, aukštos temperatūros ir šilumos šaltinių.

● Izoliuokite nuo šarminių medžiagų, oksidantų ir organinių cheminių medžiagų, kad išvengtumėte cheminių reakcijų ir užteršimo.

● Griežtai venkite ilgalaikio-atviros talpyklos, kad išvengtumėte nepastovių gedimų ir priemaišų absorbcijos.

● Tinkamumo laikas: 12 mėnesių standartinėmis sandariomis laikymo sąlygomis

 

Tvarkymas ir saugos atsargumo priemonės

 

● Vandenilio chlorido rūgštis yra ėsdinanti ir laki. Operatoriai turi dėvėti visas AAP: rūgštims{1}}atsparias pirštines, cheminius akinius, korozijai{2}}atsparų prijuostę ir apsauginius drabužius.

● Dirbti vėdinamoje aplinkoje; vengti įkvėpti lakiųjų dujų ir tiesioginio sąlyčio su oda bei akimis.

● Skiedimo operacija: lėtai pilkite rūgštį į vandenį, niekada nepilkite vandens į koncentruotą druskos rūgštį, kad išvengtumėte purslų ir nesusižeidimų.

● Susilietus arba nutekėjus, laikykitės SDS avarinių nurodymų dėl savalaikio valymo ir pašalinimo.

● Išsamią pavojingumo klasifikaciją, transportavimo taisykles ir pirmosios pagalbos{0}} priemones rasite oficialiame SDS dokumente.

 

Kokybės užtikrinimas

 

Kiekviena G4 hidrochlorido rūgšties partija gaminama ir tikrinama pagal SEMI G4 tarptautinius standartus. Kiekvieną siuntą lydi oficialus partijos COA. Visuose gamybos, valymo ir užpildymo procesuose taikoma griežta švaraus-patalpos užterštumo kontrolė, siekiant užtikrinti stabilią ir pastovią produktų kokybę, skirtą aukščiausios klasės puslaidininkių gamybos programoms.

 

Vandenilio chlorido rūgšties specifikacija

 

Produkto pavadinimas

Įvertinimas

Santykinė molekulinė masė

Molekulinė formulė

Druskos rūgštis

Elektroninės cheminės medžiagos G4

36.46

HCl

 

Apžiūrėkite daiktus

Specifikacijos

Apžiūrėkite daiktus

Specifikacijos

Išvaizda

Bespalvis skaidrus vandeninis vandenilio chlorido tirpalas

Nikelis (Ni), ppt

Mažiau arba lygus 100

Tyrimas (HCl), %

36.0~38.0

Varis (Cu), ppt

Mažiau arba lygus 100

Chromatiškumas, Hazen vienetai

Mažiau arba lygus 10

Cinkas (Zn), ppt

Mažiau arba lygus 100

Degimo likutis (sulfato pagrindu), ppm

Mažiau nei arba lygus 3

Galis (Ga), ppt

Mažiau arba lygus 100

laisvai prieinamas chloras (Cl), ppb

Mažiau arba lygus 100

Germanis (Ge), ppt

Mažiau arba lygus 100

Amonis (NH4), ppb

Mažiau arba lygus 100

Arsenas (As), ppt

Mažiau arba lygus 100

Sulfatas (SO4), ppb

Mažiau arba lygus 100

Stancis (Sr), ppt

Mažiau arba lygus 100

Sulfitai (SO₂), ppb

Mažiau arba lygus 100

Cirkonis (Zr), ppt

Mažiau arba lygus 100

Fosfatas (PO4), ppb

Mažiau arba lygus 100

Niobis (Nb), ppt

Mažiau arba lygus 100

Litis (Li), ppt

Mažiau arba lygus 100

Molibdenas (Mo), ppt

Mažiau arba lygus 100

Berilis (Be), ppt

Mažiau arba lygus 100

Sidabras (Ag), p

Mažiau arba lygus 100

Boras (B), ppt

Mažiau arba lygus 100

Kadmis (Cd), ppt

Mažiau arba lygus 100

Natrio (Na), ppt

Mažiau arba lygus 100

Alavas (Sn), ppt

Mažiau arba lygus 100

Magnis (Mg), ppt

Mažiau arba lygus 100

Baris (Ba), ppt

Mažiau arba lygus 100

Aliuminis (Al), ppt

Mažiau arba lygus 100

Tantalas (Ta), ppt

Mažiau arba lygus 100

Kalis (K), ppt

Mažiau arba lygus 100

Auksas (Au), ppt

Mažiau arba lygus 100

Kalcis (Ca), ppt

Mažiau arba lygus 100

Talis (Tl), ppt

Mažiau arba lygus 100

Titanas (Ti), ppt

Mažiau arba lygus 100

Švinas (Pb), ppt

Mažiau arba lygus 100

Vanadis (V), ppt

Mažiau arba lygus 100

Bismutas (Bi), ppt

Mažiau arba lygus 100

Chromas (Cr), ppt

Mažiau arba lygus 100

Dalelės (didesnės arba lygios 0,2 μm), vnt./mL

Mažesnis arba lygus 300

Manganas (Mn), ppt

Mažiau arba lygus 100

Dalelės (didesnės arba lygios 0,3 μm), vnt./mL

Mažiau arba lygus 100

Geležis (Fe), ppt

Mažiau arba lygus 100

Dalelės (didesnės arba lygios 0,5 μm), vnt./mL

Mažiau arba lygus 5

Kobaltas (Co), ppt

Mažiau arba lygus 100

Ataskaitos pabaiga

-

 

Populiarus Žymos: elektroniniai chemikalai g4 druskos rūgštis, Kinijos elektroniniai chemikalai g4 druskos rūgšties gamintojai, tiekėjai, gamykla

Siųsti užklausą